| 型 號： | |
| 更新時間： | 2025-10-15 |
| 產(chǎn)品簡介： |
HTDP-H超低頻高壓發(fā)生器電氣設(shè)備的高壓耐壓試驗是《絕緣預(yù)防性試驗》規(guī)定的Z重要項目之一。耐壓試驗可分為交流耐壓試驗和直流耐壓試驗，交流耐壓試驗又可分為工頻、變頻和0.1Hz超低頻測試技術(shù)，其中0.1Hz超低頻技術(shù)是技術(shù)，是當(dāng)前電工委員會推薦的技術(shù)。
HTDP-H超低頻高壓發(fā)生器產(chǎn)品簡介
HTDP-H超低頻高壓發(fā)生器電氣設(shè)備的高壓耐壓試驗是《絕緣預(yù)防性試驗》規(guī)定的Z重要項目之一。耐壓試驗可分為交流耐壓試驗和直流耐壓試驗，交流耐壓試驗又可分為工頻、變頻和0.1Hz超低頻測試技術(shù)，其中0.1Hz超低頻技術(shù)是技術(shù)，是當(dāng)前電工委員會推薦的技術(shù)。新一代VLF系列微機式0.1Hz超低頻高壓發(fā)生器是本公司自主開發(fā)的核心產(chǎn)品，它克服了*代機械式產(chǎn)品的諸多缺點，性價比遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于同類進(jìn)口產(chǎn)品，特別適用于絕緣等值電容較大的電氣設(shè)備(例如：電力電纜、電力電容器、大中型發(fā)電機和電動機等)耐壓試驗，超低頻高壓發(fā)生器符合2004年國家新頒布電力行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)《超低頻高壓發(fā)生器通用技術(shù)條件 DL/T849.4-2004》要求。
HTDP-H超低頻高壓發(fā)生器產(chǎn)品別稱
超低頻高壓發(fā)生器、0.1Hz超低頻高壓發(fā)生器、程控超低頻高壓發(fā)生器、超低頻交流高壓試驗裝置、超低頻耐壓試驗裝置
HTDP-H超低頻高壓發(fā)生器產(chǎn)品特征
1、電流、電壓、波形數(shù)據(jù)均直接通過高壓側(cè)采樣獲得，所以數(shù)據(jù)真實、準(zhǔn)確。
2、過壓保護(hù)：當(dāng)輸出超過所設(shè)定的限壓值時，儀器將停機保護(hù)，動作時間小于20毫秒。
3、過流保護(hù)：設(shè)計為高低壓雙重保護(hù)，高壓側(cè)可按設(shè)定值進(jìn)行精確停機保護(hù)；低壓側(cè)的電流超過額定電流時將進(jìn)行停機保護(hù)，動作時間都小于20毫秒。
4、高壓輸出保護(hù)電阻設(shè)計在升壓體內(nèi)，所以外面不需另接保護(hù)阻。
5、由于采用了高低壓閉環(huán)負(fù)反饋控制電路，所以輸出無容升效應(yīng)。
HTDP-H超低頻高壓發(fā)生器技術(shù)參數(shù)
表一：
型號 | 額定電壓 | 帶載能力 | 電源保險管 | 產(chǎn)品重量 |
HTDP-H-30KV | 30kV/20mA | 0.1Hz,≤0.5μF～1.1μF | 5A | 控制器：4㎏ |
0.05Hz,≤0.5μF～2.2μF | ||||
0.02Hz,≤0.5μF～5.5μF | ||||
HTDP-H-50KV | 50kV/30mA | 0.1Hz,≤0.5μF～1.1μF | 7A | 控制器：4㎏ |
0.05Hz,≤0.5μF～2.2μF | ||||
0.02Hz,≤0.5μF～5.5μF | ||||
HTDP-H-60KV | 60kV/30mA | 0.1Hz,≤0.5μF | 9A | 控制器：4㎏ |
0.05Hz,≤0.5μF～1μF | ||||
0.02Hz,≤0.5μF～2.5μF | ||||
HTDP-H-80KV | 80kV/30mA | 0.1Hz,≤0.5μF | 12A | 控制器：4㎏ |
0.05Hz,≤0.5μF～1μF | ||||
0.02Hz,≤0.5μF～2.5μF |
輸出額定電壓 | 參見表1 | |
輸出頻率 | 參見表1 | 0.1Hz，Z大1.1 μf |
0.05 Hz Z大2.2 μf | ||
0.02 Hz Z大5.5 μf | ||
測量精度 | 1% | |
電壓正，負(fù)峰值誤差 | ≤3％ | |
電壓波形失真度 | ≤5％ | |
使用條件 | 戶內(nèi)、戶外 | |
溫度 | -10℃～+40℃ | |
濕度 | ≤85％RH | |
電源 | 交流50 Hz，220V ±5% | |
電源保險管 | 參見表1 | |
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